為什麼在逆變焊機中SiC碳化硅MOSFET全面革掉IGBT的命！
使用國產SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅逆變焊機！-傾佳電子（Changer Tech）專業分銷
使用國產SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™SiC碳化硅MOSFET升級傳統IGBT逆變焊機，實現更高的逆變焊機焊接質量，更小的逆變焊機體積重量！更低的逆變焊機成本！
隨着銅價暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子製造商的一大痛點，使用國產SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著提頻降低系統綜合成本（電感磁性元件，散熱系統，整機重量），電力電子系統的全碳SiC時代，未來已來！傾佳電子（Changer Tech）專業分銷國產SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™SiC碳化硅MOSFET！
傾佳電子（Changer Tech）致力于國產SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™國產碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
國產SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™SiC碳化硅MOSFET單管適用於各類逆變焊機，比如氣體保護焊，如氬弧焊、二氧化碳氣體保護焊，手工弧焊等。
傾佳電子（Changer Tech）致力于國產SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™國產碳化硅（SiC）MOSFET在電力電子應用中全面取代IGBT，全力推動國產SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™國產碳化硅（SiC）MOSFET加速革掉IGBT的命！Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!
逆變焊機是指採用逆變技術的弧焊電源，它將交流電先整流成直流電，再通過大功率開關元件的交替開關作用（使用國產SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™SiC碳化硅MOSFET替代IGBT已經成為行業潮流），逆變成几K赫茲甚至几百K赫茲的高頻交流電，經過變壓器降壓后輸出給電極和工件，形成高頻脈衝電弧的焊機。
逆變焊機相比直流焊機具有以下優點：
1.體積小、重量輕、節約製造材料，便於攜帶和移動。
2.能效高、節能環保、降低用電成本。
3.動態特性好、控制靈活、可實現多種焊接模式和參數調節。
4.輸出電壓、電流的穩定性好、抗干擾能力強、適應電網波動。
5.焊接效果好、飛濺小、熔深大、變形小、適用於各種金屬材料和位置的焊接。
國產SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™SiC碳化硅MOSFET可有效的減少逆變焊機變壓器、濾波電感、電容以及散熱器，電抗等成本，有效降低逆變焊機體積和成本。國產SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™SiC碳化硅MOSFET提高逆變焊機頻率從而提高弧焊電源的動態響應特性，促進焊接工藝的精細靈活，提升焊接質量。
IGBT芯片技術不斷髮展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導體提供了實現半導體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關損耗，從而提高開關頻率。進一步的，可以優化濾波器組件，相應的損耗會下降，從而全面減少系統損耗。通過採用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關頻率提5倍（實現顯著的濾波器優化），同時保持 結溫低於 規定值。
未來隨着設備和工藝能力的推進，更小的元胞尺寸、更低的比導通電阻、更低的開關損耗、更好的柵氧保護是SiC碳化硅MOSFET技術的主要發展方向，體現在應用端上則是更好的性能和更高的可靠性。
為此，BASiC™國產SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™研發推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，該系列產品進一步優化鈍化層，提升可靠性，相比上一代產品擁有更低比導通電阻、器件開關損耗，以及更高可靠性等優越性能，可助力光伏儲能、新能源汽車、直流快充、工業電源、通信電源、伺服驅動、APF/SVG、熱泵驅動、工業變頻器、逆變焊機、四象限工業變頻器等行業實現更為出色的能源效率和應用可靠性。
為滿足光伏儲能領域高電壓、大功率的應用需求，BASiC™國產SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™基於第二代SiC MOSFET技術平台開發推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高壓系列碳化硅MOSFET，產品具有低導通電阻、低導通損耗、低開關損耗、支持更高開關頻率運行等特點。
針對新能源汽車的應用需求，BASiC™國產SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™研發推出符合AEC-Q101認証和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET，可主要應用在車載充電機及汽車空調壓縮機驅動中。
B3M040120Z是BASiC™國產SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™基於第三代碳化硅MOSFET技術平台開發的 產品，該系列產品進一步優化鈍化層，提升可靠性，相對於上一代產品在比導通電阻、開關損耗以及可靠性方面有更進一步提升。
BMF240R12E2G3是BASiC™國產SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™基於PcoreTM2 E2B封裝的1200V 5.5mΩ工業級全碳化硅半橋功率模塊，產品採用集成的NTC溫度傳感器、Press-Fit壓接技術以及高封裝可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板，在導通電阻、開關損耗、抗誤導通、抗雙極性退化等方面表現出色。
B2M040120T和B2M080120T是BASiC™國產SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™基於第二代碳化硅MOSFET技術開發的頂部散熱內絕緣的塑封半橋模塊，主要應用於OBC、空調壓縮機和工業電源中。
BASiC™國產SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™推出可支持米勒鉗位的雙通道隔離驅動芯片BTD25350系列，此驅動芯片專為碳化硅MOSFET門極驅動設計，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的誤開通，還可用於驅動MOSFET、IGBT等功率器件。
